SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8,883.4 12.4

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 44

Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.8 14

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 30
Скорость чтения, Гб/сек

14,740.4 15.8
Скорость записи, Гб/сек

8,883.4 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2811 2866

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

модули RAM

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB

Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

модули RAM