RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8,883.4
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
3242
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T2864DZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link