RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
44
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
8,883.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
30
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
12.6
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
2659
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CK0 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link