SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Средняя оценка

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14 10.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8,883.4 6.0

Среднее значение в тестах

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

Причины выбрать
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 44

Около -26% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 35
Скорость чтения, Гб/сек

14,740.4 10.3
Скорость записи, Гб/сек

8,883.4 6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2811 1851

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Apacer Technology GD2.111881.002 4GB

Apacer Technology GD2.111881.002 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM