RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,303.7
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
117
Около -255% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
117
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,094.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,303.7
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
784
2987
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link