RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
68
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,670.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,554.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,670.7
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
2792
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link