SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 68

Около -134% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.5 1,670.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

68 29
Скорость чтения, Гб/сек

3,554.9 18.0
Скорость записи, Гб/сек

1,670.7 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

513 3638

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Kingston 9905678-029.A00G 8GB

Kingston 9905678-029.A00G 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB

Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB

модули RAM