RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
68
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,670.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,554.9
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,670.7
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
2196
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link