RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
68
Около -278% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.1
1,670.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
18
Скорость чтения, Гб/сек
3,554.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
1,670.7
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
3529
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link