RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
65
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
65
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
2041
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link