RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
63
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.9
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
19.9
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
3779
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link