RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
63
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
3187
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link