RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
63
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
10.9
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
2370
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link