RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
63
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
19.4
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
4089
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link