RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
63
Около -186% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
3036
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link