RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
3061
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link