RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
63
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
49
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
9.8
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
2277
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link