RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
63
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
3341
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link