RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
63
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
49
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
10.9
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
2413
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link