RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.3
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1570
3601
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link