RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сравнить
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
22.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1570
3792
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link