RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Сравнить
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1570
3258
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link