RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Сравнить
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB против Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
53
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
53
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
10.4
Скорость записи, Гб/сек
7.3
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1570
2333
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5403-083.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-160.A00LF 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link