RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
46
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1570
2660
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link