RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
70
Около -192% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
15.5
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2445
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link