RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
70
Около -218% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2809
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link