RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
70
Около -79% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2725
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link