RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
70
Около -169% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
16.2
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2728
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link