RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
70
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
3,071.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
10.4
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2213
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link