RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
70
Около -106% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2468
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link