RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
70
Около -268% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
19.4
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3314
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link