RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
70
Около -289% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
18
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
20.4
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3814
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link