RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Сравнить
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
5.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1453
3112
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link