RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сравнить
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.1
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
40
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
13.1
Скорость записи, Гб/сек
5.5
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1453
2204
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link