RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
54
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2509
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905428-105.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link