RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
54
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2907
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link