RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
54
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2971
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link