RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
54
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.9
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
41
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
8.9
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2126
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link