RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Kingston 9905599-029.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
54
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2494
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link