RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
54
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
3206
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link