RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
54
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
52
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2893
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link