RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
61
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
8.2
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.4
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
61
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
8.2
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
1813
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Corsair VS1GSDS533D2 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link