RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
54
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.2
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
18
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
20.4
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
3814
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link