STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

-->

Средняя оценка

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.6

Среднее значение в тестах

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 63

Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.3 1,447.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 31
Скорость чтения, Гб/сек

3,231.0 15.6
Скорость записи, Гб/сек

1,447.3 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

478 2316

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston 9905711-017.A00G 4GB

Kingston 9905711-017.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Kingston 9965669-031.A00G 16GB

Kingston 9965669-031.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB

SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston 9905701-003.A00G 16GB

Kingston 9905701-003.A00G 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Kingston 9905703-008.A00G 16GB

Kingston 9905703-008.A00G 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

модули RAM