RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
63
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3579
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link