RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3429
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link