RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3787
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AD64C1D1624E1B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link