RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3711
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link