RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3384
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link