RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
63
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2902
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link